10月28日，应我校材料科学与工程学院的邀请，日本富士通株式会社王文生工程师来校访问考察。
陈永正书记、陈国龙副校长、人事处张处长以及材料学院院领导等会见了客人，他们对王工程师的到来表示热烈欢迎，并介绍了我校对人才引进方面的支持力度和优惠政策。
    期间，王文生工程师还参观了我校材料学院实验室、校测试中心、物信学院实验室、校科技园以及校园风景，对我校在实验设备和科研方面的实力以及校园建设表示了肯定。
    当天下午，王文生工程师在材料科学楼404为广大师生做了一堂主题为“铁电存储器及最新动向”的主题报告，报告简要地介绍了富士通公司，并分别从铁电体材料的研究背景、产品创新、产品技术开发和研究动向等几个方面，向在座师生介绍了铁电存储器的相关知识和未来的发展方向，随后王文生工程师就师生提出的问题做了认真细致的回答。
    王文生工程师毕业于西安交通大学，于日本富山县立大学获得硕士和博士学位，并先后在中国科学院上海硅酸盐研究所、日本北陆电气工业株式会社、日本富士通株式会社从事研究工作。现任日本富士通株式会社系统存储器事业部专业工程师，是日本应用物理学会会员，日本定约桥牌协会会员、桥牌教师，中部日本华侨华人联合会理事。王文生工程师长期从事薄膜材料的研究，拥有173件有关铁电体存储器的授权专利，是日本和世界的高密度FRAM研究的先驱者之一。2013年作为第一个在日外国人获得日本文部科学大臣奖和第61届电子科学与工程奖，2014年作为第一完成者获得日本国家奖的作日本科学技术奖（相当于中国的国家科学技术进步一等奖）。